banner
Дом / Продукты / Аудио ИС
Продукты
Epi вафельные диоды/транзисторы/биполярные микросхемы/Eeprom/усилители/RFID-эпитаксии

Epi вафельные диоды/транзисторы/биполярные микросхемы/Eeprom/усилители/RFID-эпитаксии

Обзор Описание продукта Seeopto предлагает широкий выбор проверенных на производстве и стандартных отраслевых технологий
Overview
Базовая информация.
Модель №.4\5\6\8 дюймов
Тип проводимостиП/П++,Н/Н++,Н/Н+,Н/Н+/Н++,Н/П/П,П/Н/Н+
легирующая примочкаБор, Фосс, Мышьяк
Транспортный пакеткак запрос
Спецификацияиндивидуальный
Товарный знаквидетьопто
ИсточникЧэнду
Код ТН ВЭД9001909090
Производственная мощность5000 штук/год
Описание продукта

Описание продукта

Seeopto предлагает широкий выбор проверенных на производстве и стандартных отраслевых технологий кремниевой эпитаксии для некоторых наиболее важных применений микроэлектроники:

Диоды

• Диоды Шоттки

• Сверхбыстрые диоды

• Стабилитроны

• PIN-диоды

• Подавители переходных напряжений (TVS)

• и другие

Транзисторы

• Силовой БТИЗ

• Мощность DMOS

• МОП-транзистор

• Средняя мощность

• Слабый сигнал

• и другие

Интегральные схемы

• Биполярные микросхемы

• ЭСППЗУ

• Усилители

• Микропроцессоры

• Микроконтроллеры

• RFID

• и другие

Производителям интегральных схем SEEOPTO предлагает услуги по эпитаксиальному осаждению кремния на подложках со скрытыми ионно-имплантированными или диффузионными слоями.

Кремниевые подложки либо приобретаются у крупных мировых поставщиков, либо поставляются заказчиком.

Эпитаксия — это своего рода интерфейс между тонкой пленкой и подложкой. Термин эпитаксия (греч. «эпи» «над» и «таксис» «упорядоченным образом») описывает упорядоченный рост кристаллов на (одно-)кристаллической подложке. Он предполагает рост кристаллов одного материала на поверхности кристалла другого (гетероэпитаксии) или того же (гомоэпитаксии) материала. Структура решетки и ориентация или симметрия решетки тонкопленочного материала идентична структуре подложки, на которую он нанесен. Самое главное: если подложка монокристаллическая, то и тонкая пленка тоже будет монокристаллической. Сравните с самоорганизующимся монослоем и мезотаксией.

Некоторыми примерами являются молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкофазная эпитаксия и парофазная эпитаксия. Он находит применение в нанотехнологиях и производстве полупроводниковых и фотонных устройств. Действительно, эпитаксия является единственным доступным методом роста высокого кристаллического качества для многих полупроводниковых материалов, включая технологически важные материалы, такие как SiGe, нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия, последний используется в устройствах для светодиодов и телекоммуникаций.

Epi Wafer Diodes/Transistors/Bipolar Ics/Eeprom/Amplifiers/RFID Epitaxy