Epi вафельные диоды/транзисторы/биполярные микросхемы/Eeprom/усилители/RFID-эпитаксии
Базовая информация.
Модель №. | 4\5\6\8 дюймов |
Тип проводимости | П/П++,Н/Н++,Н/Н+,Н/Н+/Н++,Н/П/П,П/Н/Н+ |
легирующая примочка | Бор, Фосс, Мышьяк |
Транспортный пакет | как запрос |
Спецификация | индивидуальный |
Товарный знак | видетьопто |
Источник | Чэнду |
Код ТН ВЭД | 9001909090 |
Производственная мощность | 5000 штук/год |
Описание продукта
Описание продукта
Seeopto предлагает широкий выбор проверенных на производстве и стандартных отраслевых технологий кремниевой эпитаксии для некоторых наиболее важных применений микроэлектроники:
Диоды
• Диоды Шоттки
• Сверхбыстрые диоды
• Стабилитроны
• PIN-диоды
• Подавители переходных напряжений (TVS)
• и другие
Транзисторы
• Силовой БТИЗ
• Мощность DMOS
• МОП-транзистор
• Средняя мощность
• Слабый сигнал
• и другие
Интегральные схемы
• Биполярные микросхемы
• ЭСППЗУ
• Усилители
• Микропроцессоры
• Микроконтроллеры
• RFID
• и другие
Производителям интегральных схем SEEOPTO предлагает услуги по эпитаксиальному осаждению кремния на подложках со скрытыми ионно-имплантированными или диффузионными слоями.
Кремниевые подложки либо приобретаются у крупных мировых поставщиков, либо поставляются заказчиком.
Эпитаксия — это своего рода интерфейс между тонкой пленкой и подложкой. Термин эпитаксия (греч. «эпи» «над» и «таксис» «упорядоченным образом») описывает упорядоченный рост кристаллов на (одно-)кристаллической подложке. Он предполагает рост кристаллов одного материала на поверхности кристалла другого (гетероэпитаксии) или того же (гомоэпитаксии) материала. Структура решетки и ориентация или симметрия решетки тонкопленочного материала идентична структуре подложки, на которую он нанесен. Самое главное: если подложка монокристаллическая, то и тонкая пленка тоже будет монокристаллической. Сравните с самоорганизующимся монослоем и мезотаксией.
Некоторыми примерами являются молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкофазная эпитаксия и парофазная эпитаксия. Он находит применение в нанотехнологиях и производстве полупроводниковых и фотонных устройств. Действительно, эпитаксия является единственным доступным методом роста высокого кристаллического качества для многих полупроводниковых материалов, включая технологически важные материалы, такие как SiGe, нитрид галлия, арсенид галлия и фосфид индия, последний используется в устройствах для светодиодов и телекоммуникаций.